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NXP Semiconductors
Double ESD protection diodes in SOT23
package
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Product data sheet
PESDxS2UT series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V RWM
reverse stand-off voltage
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
3.3
5.2
12
15
24
V
V
V
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
V RWM = 3.3 V
V RWM = 5.2 V
V RWM = 12 V
V RWM = 15 V
V RWM = 24 V
?
?
?
?
?
0.7
0.15
<0.02
<0.02
<0.02
2
1
1
1
1
μ A
μ A
μ A
μ A
μ A
V BR
breakdown voltage
I Z = 5 mA
C d
V (CL)R
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
diode capacitance
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
clamping voltage
f = 1 MHz; V R = 0 V
notes 1 and 2
5.2
6.4
14.7
17.6
26.5
?
?
?
?
?
5.6
6.8
15.0
18.0
27.0
207
152
38
32
23
6.0
7.2
15.3
18.4
27.5
300
200
75
70
50
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
PESD3V3S2UT
PESD5V2S2UT
PESD12VS2UT
PESD15VS2UT
PESD24VS2UT
I pp = 1 A
I pp = 18 A
I pp = 1 A
I pp = 15 A
I pp = 1 A
I pp = 5 A
I pp = 1 A
I pp = 5 A
I pp = 1 A
I pp = 3 A
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
7
20
9
20
19
35
23
40
36
70
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
2004 Apr 15
5
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